¡Pero mira qué ‘tigueraje’ se ha montado China en el mundo de la tecnología! Andan ‘en la brecha’ buscando fabricar sus propios chips de última generación y, según la noticia, le están encontrando la ‘vuelta’. Este avance podría cambiar el ‘juego’ para la industria de semiconductores, especialmente en su objetivo de producir chips de 3nm sin depender de la litografía de ultravioleta extremo (UVE).
La situación no es un secreto para nadie: las sanciones de países como Estados Unidos y Países Bajos han cortado el acceso de China a los equipos UVE de ASML, que son clave para los chips más avanzados. Esto ha puesto a sus empresas, como SMEE y Shanghai Yuliangsheng Technology, a ‘romperse el alma’ desarrollando sus propios equipos de ultravioleta profundo (UVP).
Aquí viene lo ‘chulo’. El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) ha dado un ‘palo’ al integrar experimentalmente transistores de tipo GAA (Gate-All-Around) con ‘nanosheets’ apiladas, ¡y lo más impresionante es que lo hicieron usando litografía UVP! Estos transistores GAA son los que usan los líderes de la industria en sus circuitos integrados más avanzados, un verdadero ‘disparate’ tecnológico.
Es importante poner esto en contexto. Según el reporte, compañías como Samsung introdujeron los GAA en 2022 en sus semiconductores de 3 nm, TSMC en 2025 para sus chips de 2 nm, e Intel los adoptó también en 2025. Todas estas gigantes, hasta ahora, han dependido de la maquinaria UVE de ASML. Que IMECAS logre esto con tecnología UVP es una demostración de que están ‘en olla’ y con la mente puesta en la innovación.
Ahora bien, no hay que irse ‘de una vez’ pensando que China ya está fabricando chips de 3nm a nivel masivo con UVP. La noticia aclara que lo que se ha logrado es la integración de estos transistores GAA con ‘nanosheets’ apiladas usando esa litografía. Esto significa que abren una posible vía, un camino ‘asegún’ la ciencia, para alcanzar esa meta sin los equipos UVE, ¡un gran paso!
La arquitectura de transistores GAA desarrollada por IMECAS tiene un potencial enorme. Ayuda a compensar algunas limitaciones de la fotolitografía UVP. Para los fabricantes chinos, dejar atrás los transistores FinFET y pasar a la tecnología GAA es como ‘coger impulso’ para reducir la brecha con sus competidores taiwaneses, surcoreanos y estadounidenses. Este logro, ‘asegún’ la noticia, no salió de la nada; IMECAS lleva un ‘viaje de tiempo’ investigando a fondo los transistores GAA y las ‘nanosheets’ apiladas verticalmente.
Para los más técnicos, la litografía UVP utiliza luz ultravioleta de 193 nm, y la UVE, 13,5 nm. Puede sonar ‘contraintuitivo’ que con una longitud de onda mayor se logren chips pequeños, pero las técnicas modernas usan ‘multiple patterning’ y procesos de grabado ‘jevi’ para crear estructuras mucho menores. Aunque esto pueda añadir complejidad, la arquitectura GAA tiene el potencial de reducir la dependencia de China de la tecnología UVE, que se les ha puesto ‘un poco difícil’ de conseguir.
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Ingeniero de Sistemas especializado en Inteligencia Artificial y Automatización de Procesos. Con una trayectoria enfocada en la convergencia entre tecnología de vanguardia y comunicación digital, Ramón lidera la implementación de modelos generativos aplicados al periodismo dominicano. Su trabajo garantiza que la información que llega a la diáspora no solo mantenga nuestra identidad “del patio”, sino que cumpla con los más altos estándares de veracidad y optimización técnica de la web moderna (2026).
