¡Qué ‘vaina’ con la tecnología de chips! Parece que en el patio de los semiconductores, Intel y TSMC están jugando cartas bien distintas. La noticia nos cuenta que Intel, con su ‘tigueraje’ y enfoque agresivo en la litografía de Ultravioleta Extremo (UVE) de alta apertura, o ‘High-NA’, ya ha superado el millón de obleas procesadas. Según el reporte, llevan algo más de dos años y medio metiéndole con estas máquinas de ASML, las más avanzadas para la fabricación de chips. Esto abarca instalación, certificación e I+D. Lo importante es que Intel está ‘de una vez’ con esta tecnología.
El meollo de ‘High-NA’ es su capacidad para imprimir detalles minúsculos con una resolución que ‘está de lo más bien’. Sin embargo, hay un ‘pero’: la dificultad para fabricar chips grandes. La óptica anamórfica de estos equipos impide que la máscara convencional de 6×6 pulgadas cubra la superficie de 26×33 mm necesaria de un solo ‘golpe’, como lo hace el UVE tradicional. Esto obliga al ‘stitching’ o ‘cosido’, exponiendo dos mitades del circuito y requiriendo una precisión ‘tremenda’. Por eso, Intel está fajao no solo optimizando procesos, sino también buscando máscaras de 6×12 pulgadas para que la fabricación de chips grandes sea más eficiente. Esta dedicación temprana pone a Intel en una posición ‘bacana’ de cara al futuro.
Por otro lado, TSMC, otra ‘pieza pesada’ en la industria, ha decidido irse por otro camino, ‘asegún’ la noticia. Han confirmado oficialmente que no introducirán la tecnología ‘High-NA’ hasta el 2030, lo que los pone mucho más tarde que Intel y, presumiblemente, que Samsung. Desde hace tiempo se sabía que TSMC se lo estaba pensando con calma, y ahora esta es la confirmación definitiva de su estrategia. ¡Un ‘palo’ para los que esperaban que se tiraran de cabeza!
El motivo principal de esta decisión de TSMC es puramente económico. Cada una de estas máquinas ‘High-NA’ cuesta ‘un viaje de’ 350 millones de euros, y una planta moderna necesita varias decenas. TSMC considera que, actualmente, el costo es demasiado elevado para rentabilizar la fabricación de chips avanzados. Es una estrategia de esperar y ver, buscando el momento más ‘chulo’ para invertir y asegurar la rentabilidad a largo plazo.
Mientras tanto, TSMC no se queda con los brazos cruzados. Para el 2029, planean tener listas para producción masiva las tecnologías de integración A12 y A13, derivados de su fotolitografía A14. Estas serían sus primeras tecnologías de 1.2 y 1.3 nm, utilizando transistores GAA de segunda generación y NanoFlex Pro. Esta última permitirá a los diseñadores usar celdas rápidas donde se necesite velocidad y densas para optimizar el espacio del chip. Es su manera de seguir compitiendo con tecnología de punta, sin entrar en la ‘vaina’ del ‘High-NA’ tan temprano.
Lo que todavía no está claro es cómo los ingenieros de TSMC lograrán fabricar circuitos integrados de 1.2 y 1.3 nm usando los equipos UVE de ASML sin recurrir a ‘High-NA’. Se especula que evitarán el ‘multiple patterning’, ya que este proceso puede afectar el rendimiento por oblea y encarecer los semiconductores, comprometiendo la ventaja competitiva de TSMC. Sin duda, el sector se mantiene ‘caliente’ con estas decisiones estratégicas que definirán el futuro de la electrónica y la innovación tecnológica.
Si te ha gustado este artículo, ¡compártelo con tus amigos, o déjanos un comentario!
Ingeniero de Sistemas especializado en Inteligencia Artificial y Automatización de Procesos. Con una trayectoria enfocada en la convergencia entre tecnología de vanguardia y comunicación digital, Ramón lidera la implementación de modelos generativos aplicados al periodismo dominicano. Su trabajo garantiza que la información que llega a la diáspora no solo mantenga nuestra identidad “del patio”, sino que cumpla con los más altos estándares de veracidad y optimización técnica de la web moderna (2026).
